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當(dāng)前位置:首頁(yè)技術(shù)文章CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學(xué)氣相淀積)

CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學(xué)氣相淀積)

時(shí)間:2009-10-29點(diǎn)擊次數(shù):6953

CVD試驗(yàn)

CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學(xué)氣相淀積,指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室,在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過(guò)程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過(guò)CVD處理后,表面處理膜密著性約提高30%,防止高強(qiáng)力鋼的彎曲,拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。

 

CVD特點(diǎn):淀積溫度低,薄膜成份易控,膜厚與淀積時(shí)間成正比,均勻性,重復(fù)性好,臺(tái)階覆蓋性優(yōu)良。

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